如何選擇一臺性能好的MPCVD設(shè)備呢？

在選擇一臺比較好的MPCVD（微波等離子體化學(xué)氣相沉積）設(shè)備時，需要綜合考慮多個方面以確保設(shè)備能夠滿足您的具體需求。以下是幾個關(guān)鍵的考量點。

1、極限真空壓力與真空漏氣率

極限真空壓力是衡量設(shè)備性能的重要指標(biāo)，行業(yè)極限標(biāo)準(zhǔn)為：1.3pa，然而極限真空壓力越小，真空漏氣率越低，這對提升產(chǎn)品品質(zhì)和凈度等級至關(guān)重要，而真空漏氣率是保證生長環(huán)境免受環(huán)境干擾的重要因素，對產(chǎn)品的影響更為重要。碳方程MPCVD設(shè)備極限真空壓力達(dá)到0.5pa，真空漏氣率達(dá)到為：5e-10pam3/s。

在培育鉆石的過程中， 真空漏氣率過高會導(dǎo)致氮?dú)膺M(jìn)入腔體，鉆石生長就會過快，進(jìn)而影響鉆石的生長速度和品質(zhì)，甚至使產(chǎn)品呈現(xiàn)咖色，降低其凈度等級。

2、離子形態(tài)的穩(wěn)定

離子形態(tài)的穩(wěn)定是確保設(shè)備能夠長時間穩(wěn)定運(yùn)行的關(guān)鍵因素，也是最容易被忽視的一點，離子形態(tài)的不穩(wěn)定會使晶體表面發(fā)生溫度的變化和甲烷電離程度的波動，此時，因為離子形態(tài)的不同，就會有多晶的產(chǎn)生，從而影響產(chǎn)品的品質(zhì)。

理想的離子球形態(tài)應(yīng)該是扁平的，這樣可以確保晶體在生長過程中能夠均勻生長，減少中心與邊緣的生長效率差異，而離子球的形態(tài)也決定單爐能生長產(chǎn)品的數(shù)量。

碳方程10800系列設(shè)備，通過特殊的設(shè)計，采用金屬和全氟橡膠密封保證了設(shè)備的極限真空壓力及真空漏氣率，特殊的腔體形態(tài)，使其成為扁平形態(tài)，能夠使晶體能夠在整個生長過程中保持穩(wěn)定，極大地提升了產(chǎn)品的品質(zhì)。

以鉆石生長260小時為例，中心及邊緣生長效率僅為1-2%之差；

3英寸多晶產(chǎn)品以生長目標(biāo)為0.5毫米為例，最終中心及邊緣厚度偏差僅為0.018毫米。

總之，在選擇一臺性能卓越的MPCVD設(shè)備時，需要綜合考慮極限真空壓力與真空漏氣率、離子形態(tài)的穩(wěn)定性等多個方面。通過仔細(xì)比較和評估不同設(shè)備的特點和優(yōu)勢，選擇最適合您需求的設(shè)備。