金剛石熱沉片，半導體散熱領域的王者！

隨著電子產品不斷邁向更高程度的集成化、小型化與智能化，電子元器件正面臨功率輸出提升與熱流密度激增的雙重挑戰。與此同時，半導體技術的迅猛飛躍，特別是在新能源、電子信息技術及航空航天等前沿領域的持續革新，促使熱量產生量急劇攀升。在這一背景下，散熱性能成為了制約高功率設備進一步發展的核心瓶頸。

 金剛石憑借其高熱導率特性，并得益于化學氣相沉積（CVD）技術的顯著進步，已成為熱管理領域的明星材料。金剛石卓越的導熱能力不僅有效延長了電子元器件的使用壽命，還極大地提升了設備的整體性能與運行效率，為突破散熱難題提供了強有力的解決方案。

金剛石通過晶格振動傳熱，碳原子產生振動的量子能量較大，也就是振動頻率很高，因此熱導率非常高。天然單晶金剛石的室溫(25℃)熱導率可達到22 W/(cm·K)，作為對比，金屬銅的熱導率約為4 W/(cm·K)，而傳統的半導體材料硅的熱導率不足2 W/(cm·K)。采用CVD法人工培育的金剛石，其室溫熱導率通常也能達到10-20 W/(cm·K)。

碳方程在高端人造金剛石產品及MPCVD設備研發方面的顯著成果，不僅標志著半導體器件散熱技術的重大飛躍，更為高功率電子設備的性能提升與壽命延長提供了強有力的技術支持，對推動相關行業的技術進步與發展具有重要意義。